覆晶技術基本流程

覆晶封裝技術，即是指將晶粒（Die）之接合墊上生成錫鉛凸塊（solder bump），而於基板上的接點與晶片上凸塊相對應，接著將翻轉之晶粒對準基板上之接點放置於基板上，經由迴銲（reflow）製程將凸塊融化，待凸塊冷卻凝固之後，便形成晶片與基板之間的信號傳輸通路。

將IC晶片反轉置正面與基板電路接和，使用此方式可降低晶片與基板間電子訊號傳輸距離、縮小 IC 晶片封裝後的尺寸、整體來說可降低訊號干擾、提高傳輸速度及訊號密度、最低連接電路耗損、良好的散熱、電性傳導佳。

 

流程圖如下：

 

 

 

 

 

覆晶法利用蒸鍍法製造錫鉛凸塊並晶粒正面翻覆朝下，藉此在晶粒上所植之凸塊與陶瓷基板連接，故稱覆晶，如下方示意圖。